Контакты

Матплаты. Выбор оптимальной памяти для ноутбука: OCZ Value Series Тестовая конфигурация, инструментарий и методика тестирования

Часть 26: Высокоскоростные модули OCZ серий Titanium и SLI-Ready (PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000)

Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета . Сегодня мы рассмотрим высокоскоростные предложения от компании OCZ - три двухканальных 2-ГБ комплекта модулей памяти серий Titanium и SLI-Ready скоростных категорий PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000:

  • OCZ DDR2 PC2-6400 Titanium EPP-Ready (OCZ2T8002GK, DDR2-800 4-4-4-1T)
  • OCZ DDR2 PC2-7200 SLI-Ready Edition (OCZ2N900SR2GK, DDR2-900 4-4-3-2T)
  • OCZ DDR2 PC2-8000 Titanium Alpha VX2 (OCZ2TA1000VX22GK, DDR2-1000 4-4-4-2T)
Информация о производителе модуля

Производитель модуля: OCZ Technology
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Внешний вид модулей

OCZ DDR2 PC2-6400

OCZ DDR2 PC2-7200

OCZ DDR2 PC2-8000

Part Number модулей

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует (в ходе его изучения было обнаружено лишь устаревшее руководство, посвященное модулям памяти типа DDR). Поэтому ограничимся лишь кратким описанием модулей, представленным на страницах соответствующих продуктов.

OCZ DDR2 PC2-6400

Модули поддерживают стандарт EPP, что позволяет достичь оптимальной производительности модулей на материнских платах с чипсетами NVIDIA nForce 590 SLI. Содержимое EPP запрограммировано на режим DDR2-800 с достаточно низкими таймингами 4-4-4-1T, т.е. модули способны функционировать при задержках командного интерфейса 1T (1 команда/1 такт), что значительно увеличивает производительность подсистемы памяти. Модули оснащены теплоотводами XTC (Xtreme Thermal Convection) с титановым покрытием, обеспечивающими эффективный отвод тепла.

OCZ DDR2 PC2-7200

Модули также поддерживают стандарт EPP, при этом содержимое данной части микросхемы SPD запрограммировано на режим DDR2-900 со схемой таймингов 4-4-3. Как утверждает производитель, данные модули оснащены эксклюзивной системой теплоотведения NVIDIA XTC (с точки зрения, как эффективности, так и внешнего вида, «соответствующего» уровню производительности модулей).

OCZ DDR2 PC2-8000

В отличие от первых двух представителей, поддержка стандарта EPP в модулях отсутствует. Модули принадлежат особому семейству модулей Voltage Xtreme, рассчитанных на работу при высоком питающем напряжении (что позволяет достичь скоростей, недоступных при обычном уровне напряжения). Данная модель рассчитана на режим DDR2-1000 при задержках 4-4-4, что достигается за счет поднятия питающего напряжения до 2.3В и позиционируется как high-end решение для экстремальных геймеров и оверклокеров. Теплоотвод модулей XTC с применением титанового покрытия, устойчивого к царапинам, также является эксклюзивным решением, на сей раз - по своей цветовой гамме (см. фото). Каждый модуль Titanium Alpha имеет уникальную цветовую гамму и изменяет свой оттенок цвета в зависимости от освещения и угла обзора.Данные микросхемы SPD модулей

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Описание стандарта EPP:

OCZ DDR2 PC2-6400

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
3 0Eh 14 (RA0-RA13)
4 0Ah 10 (CA0-CA9)
5 61h 2 физических банка
6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
9 25h 2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
12 82h
13 08h x8
14 00h Не определено
16 0Ch BL = 4, 8
17 04h 4
18 38h CL = 5, 4, 3
23 30h 3.00 нс (333.3 МГц)
25 37h 3.70 нс (270.3 МГц)
27 32h 12.5 нс
5.00, CL = 5
4.17, CL = 4
3.37, CL = 3
28 28h 10.0 нс
4.00, CL = 5
3.33, CL = 4
2.70, CL = 3
29 32h 12.5 нс
5.00, CL = 5
4.17, CL = 4
3.37, CL = 3
30 25h 37.0 нс
14.80, CL = 5
12.33, CL = 4
10.00, CL = 3
31 80h 512 МБ
36 3Ch 15.0 нс
6.00, CL = 5
5.00, CL = 4
4.05, CL = 3
37 1Eh 7.5 нс
3.00, CL = 5
2.50, CL = 4
2.02, CL = 3
38 1Eh 7.5 нс
3.00, CL = 5
2.50, CL = 4
2.02, CL = 3
41, 40 37h, 00h 55.0 нс
22.00, CL = 5
18.33, CL = 4
14.86, CL = 3
42, 40 69h, 00h 105.0 нс
42.00, CL = 5
35.00, CL = 4
28.38, CL = 3
43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 23h Ревизия 2.3(?)
Контрольная сумма байт 0-62 63 BFh 191 (верно)
64-71 7Fh, 7Fh,
7Fh, 7Fh,
B0h
OCZ
Part Number модуля 73-90 - OCZ2T8001G
Дата изготовления модуля 93-94 06h, 26h 2006 год, 38 неделя
Серийный номер модуля 95-98 00h, 00h,
00h, 00h
Не определено

По данным SPD, поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая не полностью представляется целыми значениями и может быть записана в виде 5-5-5-14.8, что с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону соответствует стандартной схеме 5-5-5-15. Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33, которую с учетом округления можно записать в виде 4-5-5-13. Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц) вместо номинального значения 3.75 нс (частота 266.7 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10, с учетом округления - 3-4-4-10.

Идентификационный код производителя, дата изготовления и Part Number модуля указаны верно, в то время как информация о серийном номере модуля отсутствует. К тому же, несколько настораживает странное значение ревизии SPD 23h, формально соответствующее несуществующему номеру ревизии стандарта «2.3».

Поскольку данные модули поддерживают расширение EPP, рассмотрим теперь информацию, содержащуюся в этой «нестандартной» части SPD, представленной байтами 99-127 содержимого SPD.

Параметр Байт(ы) (биты) Значение Расшифровка
Строка идентификации EPP 99-101 4E566Dh Есть поддержка SPD EPP
Тип профилей EPP 102 A1h Сокращенные профили
103 (1:0) 00h Профиль 0
Используемые профили 103 (7:4) 01h Профиль 0: присутствует
Профиль 1: отсутствует
Профиль 2: отсутствует
Профиль 3: отсутствует
Профиль №0
Уровень питающего напряжения 104 (6:0) 08h 2.0 V
Задержка передачи адреса
(Addr CMD rate)
104 (7) 00h 1T
Время цикла (t CK) 105 25h 2.50 нс (400.0 МГц)
Задержка CAS# (t CL) 106 10h 4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) 107 28h 10.0 нс (4.0)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) 108 28h 10.0 нс (4.0)
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) 109 25h 37.0 нс (14.8)

Информация EPP представлена в виде сокращенных профилей, максимально возможное количество которых - 4, тогда как реально присутствуют данные лишь о первом из этих профилей (профиль №0), который, естественно, отмечен как «оптимальный». Информация, содержащаяся в этом сокращенном профиле, весьма немногочисленна и полностью представлена в приведенной выше таблице. Это данные о питающем напряжении модулей - 2.0 V, величине задержек командного интерфейса (1T), времени цикла (2.5 нс, частота шины памяти 400 МГц, режим DDR2-800) и стандартных таймингах (4-4-4-14.8, с учетом округления 4-4-4-15). Дополнительные параметры тонкой настройки временных и электрических характеристик функционирования подсистемы памяти в содержимом «сокращенного» профиля EPP отсутствуют, что, на наш взгляд, ставит под сомнение его основные преимущества. Вероятно, производитель модулей просто не уделил должного внимания тонкой настройке этих характеристик. К чему это привело, мы увидим дальше, в ходе нашего исследования модулей, а пока перейдем к рассмотрению SPD следующего представителя.

OCZ DDR2 PC2-7200

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 61h 2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 25h 2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 3Dh 3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 00h Не определено
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) 27 32h 12.5 нс
5.00, CL = 5
3.33, CL = 4
Не определено, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD) 28 1Eh 7.5 нс
3.00, CL = 5
2.00, CL = 4
Не определено, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) 29 32h 12.5 нс
5.00, CL = 5
3.33, CL = 4
Не определено, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) 30 25h 37.0 нс
14.80, CL = 5
9.87, CL = 4
Не определено, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 80h 512 МБ
Период восстановления после записи (t WR) 36 3Ch 15.0 нс
6.00, CL = 5
4.00, CL = 4
Не определено, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR) 37 1Eh 7.5 нс
3.00, CL = 5
2.00, CL = 4
Не определено, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP) 38 1Eh 7.5 нс
3.00, CL = 5
2.00, CL = 4
Не определено, CL = 3
Минимальное время цикла строки (t RC) 41, 40 37h, 00h 55.0 нс
22.00, CL = 5
14.86, CL = 4
Не определено, CL = 3
Период между командами саморегенерации (t RFC) 42, 40 69h, 00h 105.0 нс
42.00, CL = 5
28.38, CL = 4
Не определено, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 2Ah 42 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 7Fh, 7Fh,
7Fh, 7Fh,
B0h
OCZ
Part Number модуля 73-90 - OCZ2N900SR1G
Дата изготовления модуля 93-94 00h, 00h Не определено
Серийный номер модуля 95-98 00h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# - 5, 4 и 3, однако значения периодов синхросигнала указаны лишь для первых двух значений: основного (CL X = 5) и уменьшенного (CL X-1 = 4). Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая может быть записана в виде нецелых значений 5-5-5-14.8, с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону - 5-5-5-15. Второму значению (CL X-1 = 4) соответствует несколько устаревший режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-3.33-3.33-9.87, которую с учетом округления можно записать в виде 4-4-4-10. Как мы уже отмечали выше, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) не соответствует какой-либо осмысленный режим функционирования модулей, что определенно является ошибкой.

Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно, однако информация о дате изготовления и серийном номере модулей отсутствует. Данные модули также поддерживают расширения EPP, поэтому рассмотрим ниже информацию, содержащуюся в этой части SPD.

Параметр Байт(ы) (биты) Значение Расшифровка
Строка идентификации EPP 99-101 4E566Dh Есть поддержка SPD EPP
Тип профилей EPP 102 B1h Расширенные профили
Профиль оптимальной производительности 103 (1:0) 01h Профиль 1
Используемые профили 103 (7:4) 03h Профиль 0: присутствует
Профиль 1: присутствует
Профиль №0
Уровень питающего напряжения 104 (6:0) 14h 2.3 V
Задержка передачи адреса
(Addr CMD rate)
104 (7) 01h 2T
Время цикла (t CK) 109 22h 2.20 нс (454.5 МГц)
Задержка CAS# (t CL) 110 10h 4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) 111 23h 8.75 нс (3.98)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) 112 19h 6.25 нс (2.84)
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) 113 21h 33.0 нс (15.00)
Период восстановления после записи (t WR) 114 28h 10.0 нс (4.55)
Минимальное время цикла строки (t RC) 115 32h 50.0 нс (22.73)
Профиль №1
Уровень питающего напряжения 116 (6:0) 14h 2.3 V
Задержка передачи адреса
(Addr CMD rate)
117 (7) 01h 2T
Время цикла (t CK) 121 22h 2.20 нс (454.5 МГц)
Задержка CAS# (t CL) 122 10h 4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) 123 21h 8.25 нс (3.75)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) 124 19h 6.25 нс (2.84)
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) 125 1Fh 31.00 нс (14.09)
Период восстановления после записи (t WR) 126 30h 12.00 нс (5.45)
Минимальное время цикла строки (t RC) 127 2Ch 44.00 нс (20.00)

Содержимое EPP выглядит весьма интересным. В отличие от рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400 с «сокращенными» профилями EPP, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-7200 содержат в своей части EPP информацию о двух «расширенных» профилях (№0 и №1), оба из которых являются действительными, но соответствуют... примерно одному и тому же режиму функционирования(!), не считая незначительных различий. А именно, в обоих профилях рабочим режимом модулей является режим «DDR2-900» (частота - примерно 454.5 МГц, время цикла 2.2 нс) с питающим напряжением 2.3 V (что соответствует спецификациям производителя) и величиной задержек командного интерфейса 2T. Несколько различаются лишь схемы основных таймингов памяти, которые в первом случае можно представить в виде 4-3.98-2.84-15 (4-4-3-15 при округлении в большую сторону), а во втором - как 4-3.75-2.84-14.09. При округлении этих значений также получается схема 4-4-3-15 (совпадающая с заявленной производителем), однако профили EPP также несколько различаются по значениям «прочих» таймингов вроде t WR и t RC . Как бы там ни было, «оптимальным» профилем выбран профиль №1.

Содержимое SPD рассматриваемых модулей OCZ DDR2 PC2-7200 (включая расширения EPP) явно отличается от содержимого SPD (и EPP) рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Так или иначе, в обоих случаях наблюдаются неточности, а то и явные ошибки. Таким образом, подход компании OCZ к программированию данных SPD оказывается весьма своеобразным, если не сказать - весьма небрежным. Напоследок, рассмотрим содержимое SPD последнего представителя - модулей OCZ DDR2 PC2-8000, которое представлено лишь «стандартной» частью ввиду отсутствия поддержки расширений EPP.

OCZ DDR2 PC2-8000

Параметр Байт Значение Расшифровка
Фундаментальный тип памяти 2 08h DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля 3 0Eh 14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля 4 0Ah 10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти 5 61h 2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти 6 40h 64 бит
Уровень питающего напряжения 8 05h SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X) 9 25h 2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфигурации модуля 11 00h Non-ECC
Тип и способ регенерации данных 12 82h 7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти 13 08h x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля 14 00h Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL) 16 0Ch BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле 17 04h 4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL) 18 38h CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1) 23 30h 3.00 нс (333.3 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2) 25 37h 3.70 нс (270.3 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP) 27 32h 12.5 нс
5.00, CL = 5
4.17, CL = 4
3.37, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD) 28 28h 10.0 нс
4.00, CL = 5
3.33, CL = 4
2.70, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD) 29 32h 12.5 нс
5.00, CL = 5
4.17, CL = 4
3.37, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS) 30 25h 37.0 нс
14.80, CL = 5
12.33, CL = 4
10.00, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти 31 80h 512 МБ
Период восстановления после записи (t WR) 36 3Ch 15.0 нс
6.00, CL = 5
5.00, CL = 4
4.05, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR) 37 1Eh 7.5 нс
3.00, CL = 5
2.50, CL = 4
2.02, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP) 38 1Eh 7.5 нс
3.00, CL = 5
2.50, CL = 4
2.02, CL = 3
Минимальное время цикла строки (t RC) 41, 40 36h, 00h 54.0 нс
21.60, CL = 5
18.00, CL = 4
14.59, CL = 3
Период между командами саморегенерации (t RFC) 42, 40 69h, 00h 105.0 нс
42.00, CL = 5
35.00, CL = 4
28.38, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max) 43 80h 8.0 нс
Номер ревизии SPD 62 12h Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62 63 DAh 218 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC 64-71 7Fh, 7Fh,
7Fh, 7Fh,
B0h
OCZ
Part Number модуля 73-90 - OCZ2TA1000VX21G
Дата изготовления модуля 93-94 00h, 00h Не определено
Серийный номер модуля 95-98 00h, 00h,
00h, 00h
Не определено

Содержимое SPD этих модулей примерно совпадает с таковым для первого из изучаемых образцов - модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая записывается в виде 5-5-5-14.8 (5-5-5-15). Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) со схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33 (4-5-5-13). Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10.0 (3-4-4-10).

Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно; данные о дате изготовления и серийном номере модуля отсутствует.Конфигурация тестового стенда

Стенд №1

  • Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), номинальная частота 2.4 ГГц (200 x12)
  • Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
  • Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0502 от 01/02/2007
Результаты исследования

Испытание модулей OCZ проводилось на платформе AMD (процессор Athlon 64 X2 4800+) с материнской платой ASUS CROSSHAIR (), поддерживающей стандарт EPP. Во всех случаях, испытания модулей проводились в двух режимах:

1. Номинальный: штатная частота процессора, частота памяти 400 МГц (DDR2-800), стандартная настройка подсистемы памяти по данным SPD, информация профилей EPP не используется.

2. Оптимальный, соответствующий использованию «оптимального» профиля EPP, допускающий разгон процессора (до 15%) для достижения максимальной рекомендованной частоты памяти. Для модулей OCZ DDR2 PC2-8000, не поддерживающих EPP, настройка частоты процессора и памяти в этом случае проводилась вручную.

OCZ DDR2 PC2-6400

Параметр
Частота процессора, МГц
(частота FSB x FID)
2400
(200x12)
2400
(200x12)
Частота памяти, МГц
(DDR2 МГц)
400
(800)
400
(800)
5-5-5-15-2T,
1.8 V
4-4-4-15-1T,
2.0 - 2.3 V
4-4-3-2T,
2.2 V
-
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
3.94
(4.06)
-
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
3.27
(3.10)
-
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
7.84
(7.99)
-
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
6.94
(6.93)
-
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
6.65
(6.98)
-
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
3.96
(4.05)
-
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
8.65
(9.33)
-
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
6.46
(6.61)
-
28.1
(26.7)
-
80.7
(78.4)
-

* размер блока 32 МБ

Начнем с рассмотрения результатов тестирования модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400, для которых производителем заявлено функционирование в режиме DDR2-800 с таймингами 4-4-4-15 и, что самое важное, задержками командного интерфейса 1T. Стандартные тайминги для этих модулей, как видно из представленной выше таблицы, выставляемые BIOS материнской платы по умолчанию, составляют 5-5-5-15-2T, а их скоростные показатели находятся на уровне, типичном для DDR2-800 при данной частоте процессора (2.4 ГГц). Поднятие питающего напряжения до 2.2 V позволяет снизить схему таймингов до 4-4-3 (как и подавляющее большинство остальных модулей DDR2, рассматриваемые модули не чувствительны к изменению последнего стандартного параметра схемы таймингов t RAS), однако величина задержек командного интерфейса по-прежнему должна оставаться на уровне 2T. Попытки использования более жесткой схемы таймингов 4-3-3-2T, а также режима 1T при любых значениях таймингов приводили к возникновению ошибок подсистемы памяти.

Таким образом, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-6400, рассчитанные на функционирование в режиме DDR2-800 4-4-4-15-1T, оказались неспособны на работу в таком режиме. Не спасло положение и использование данных профиля EPP (не удивительно, ведь содержимое EPP в данных модулях представлено лишь одним «сокращенным» профилем, не позволяющим настроить дополнительные тонкие параметры временного и электрического характера), даже при попытке поднятия питающего напряжения вплоть до 2.3 V.

OCZ DDR2 PC2-7200

Параметр
Частота процессора, МГц
(частота FSB x FID)
2400
(200x12)
2736
(228x12)
Частота памяти, МГц
(DDR2 МГц)
400
(800)
456
(912)
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение 5-5-5-15-2T,
1.8 V
4-4-3-15-2T,
2.2 V
Минимальные тайминги памяти, напряжение 4-3-3-1T,
2.3 V
-
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
3.94
(4.12)
4.56
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
3.30
(3.42)
3.84
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
7.83
(8.13)
9.04
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
6.94
(6.79)
7.88
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
6.65
(7.14)
7.79
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
3.93
(4.51)
4.82
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
8.69
(9.82)
10.26
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
6.46
(6.69)
7.52
Минимальная латентность псевдослучайного доступа (нс) 28.1
(25.7)
23.9
Минимальная латентность случайного доступа * (нс) 80.2
(78.3)
67.9

* размер блока 32 МБ

При запуске модулей OCZ DDR2 PC2-7200 в штатном режиме DDR2-800 принимающая участие в наших тестах материнская плата ASUS CROSSHAIR, как и в предыдущем случае, также выставляет схему таймингов 5-5-5-15-2T. Скоростные показатели модулей PC2-7200 в этом режиме близки к скоростным показателям модулей PC2-6400, рассмотренным выше. Наиболее интересно то, что при поднятии питающего напряжения модулей (до 2.3 V) они позволяют достичь схему таймингов 4-4-3 при величине задержек командного интерфейса 1T, чем резко отличаются от рассмотренных выше модулей PC2-6400, для которых режим 1T заявлен официально(!). Более того, в нашем случае оказалось возможным запустить рассматриваемые модули и при схеме таймингов 3-3-3-1T, однако это приводило к возникновению ошибок.

Применение «оптимального» профиля EPP привело к выставлению частоты «системной шины» процессора 228 МГц, что соответствует частоте шины памяти 228x2 = 456 МГц (режим «DDR2-912», несколько завышен по сравнению с номинальным «DDR2-900») при частоте процессора примерно 2.74 ГГц (для стабильности, напряжение на ядре процессора было вручную поднято до уровня 1.5 V). Применяемая схема таймингов при этом составила значения 4-4-3-15-2T, соответствующие с заявленными производителем. Рассматриваемые модули памяти оказались работоспособными в таком режиме, однако дальнейшее уменьшение таймингов (не считая игнорируемого параметра t RAS), а также снижение задержек командного интерфейса до 1T приводило к неработоспособности подсистемы памяти.

OCZ DDR2 PC2-8000

Параметр
Частота процессора, МГц
(частота FSB x FID)
2400
(200x12)
2500
(250x10)
Частота памяти, МГц
(DDR2 МГц)
400
(800)
500
(1000)
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение 5-5-5-15-2T,
1.8 V
5-5-5-15-2T,
2.3 V
Минимальные тайминги памяти, напряжение 4-3-3-1T,
2.3 V
4-4-4-2T,
2.3 V
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
3.90
(4.13)
4.35
(4.48)
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
3.28
(3.33)
3.61
(3.75)
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
1 ядро
7.79
(8.13)
8.40
(8.50)
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
1 ядро
6.94
(6.79)
7.19
(7.21)
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
6.60
(7.14)
7.52
(7.79)
Средняя ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
4.08
(4.46)
4.70
(5.11)
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с),
2 ядра
8.61
(9.82)
10.37
(11.01)
Макс. ПСП на запись (ГБ/с),
2 ядра
6.48
(6.70)
6.92
(7.04)
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс 28.6
(25.7)
24.5
(23.2)
Минимальная латентность случайного доступа * , нс 80.6
(78.4)
72.1
(67.8)

* размер блока 32 МБ

При эксплуатации последних из рассматриваемых нами модулей OCZ DDR2 PC2-8000 в официальном режиме DDR2-800 на материнской плате ASUS CROSSHAIR по умолчанию также выбирается схема таймингов 5-5-5-15-2T. Как и в случае модулей PC2-7200 (но не PC2-6400), увеличение питающего напряжения модулей до 2.3 V позволяет снизить эту схему до значений 4-3-3 (дальнейшее снижение до 3-3-3 приводит к возникновению ошибок), а величину задержек командного интерфейса - до 1T. Скоростные показатели модулей PC2-8000 и PC2-7200 в данном случае практически совпадают.

Поскольку модули OCZ DDR2 PC2-8000 не поддерживают расширения EPP, режим «DDR2-1000» был установлен вручную за счет увеличения частоты «системной шины» до 250 МГц для достижения частоты шины памяти 500 МГц при частоте процессора 2.5 ГГц (250x10). Минимальная схема таймингов, которую удалось достичь в этих условиях, составила 4-4-4-2T при питающем напряжении модулей 2.3 V, что совпадает со значениями, заявленными производителем (попытка выставления более низких значений практически моментально приводила к неработоспособности системы).Итоги

Протестированные представители модулей памяти высокоскоростных серий от OCZ - PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000 произвели достаточно неоднозначные впечатления. Наименее приятные из них заключаются в достаточно небрежном подходе производителя к программированию содержимого SPD (в частности, расширений EPP), что может напрямую сказываться на совместимости модулей памяти с различными материнскими платами. Более того, первый из рассматриваемых представителей - модули памяти PC2-6400 - оказались неработоспособными в штатном режиме при величине задержек командного интерфейса 1T, официально заявленной производителем (по крайней мере, на используемой нами материнской плате ASUS CROSSHAIR). Из приятных моментов можно отметить работоспособность двух остальных представителей - модулей серии PC2-7200 SLI-Ready Edition и PC2-8000 Titanium Alpha VX2 в штатном режиме DDR2-800 при достаточно «экстремальной» схеме таймингов 4-3-3 и величине задержек командного интерфейса 1T, что далеко не типично для большинства 2-ГБ двухканальных комплектов модулей памяти на платформе AMD «AM2». В то же время, в «неофициальных» режимах («DDR2-900» и «DDR2-1000», соответственно) модули этих серий, по-видимому, оказываются разогнанными до предела, поскольку дальнейшее уменьшение схемы таймингов, а также снижение задержек командного интерфейса до 1T не представляется возможным. Однако само по себе устойчивое функционирование модулей PC2-7200 и PC2-8000 в максимально скоростных режимах, учитывая возникшую ситуацию с модулями PC2-6400, уже можно считать плюсом этих серий продукции компании OCZ.

С выходом доступных решений на базе микроархитектуры Nehalem память стандарта DDR2 окончательно потеряет свою актуальность и со временем полностью уйдет со сцены, как это произошло с первым типом DDR. Оверклокерский потенциал присутствующих ныне на рынке модулей оставляет желать лучшего и практически ничем не отличается у решений различных производителей. Иногда попадаются интересные продукты по умеренным ценам, способные работать на достаточно высоких частотах, но это скорее исключение, чем явление, носящее массовый характер. Естественно, для раскрытия возможностей современных процессоров Core 2 необходимо нивелировать сдерживающий фактор в виде слабого разгона памяти, поэтому переход к DDR3 более чем оправдан. Но это при условии наличия материнской платы, способной стабильно функционировать на повышенной частоте шины FSB. Для Core i7 новый стандарт памяти является единственным вариантом, а смена платформы у AMD пока менее оправдана. Со временем, конечно, ситуация изменится в лучшую сторону, пока же можно отталкиваться от своих предпочтений и возможностей, выбирая одну из платформ с памятью DDR3.

В данном материале мы познакомимся с тремя комплектами памяти DDR3 с рабочей частотой 1600 МГц и общим объемом 4 ГБ каждый от известной всем компании OCZ.


Как вы уже поняли, наборы не предназначены для работы в составе системы на базе Core i7, который из-за ограничений контроллера памяти рассчитан на напряжение питания высокочастотных модулей всего 1,65 В. Рассматриваемые комплекты функционируют при напряжении 1,9 В и без проблем могут быть установлены на платы для процессоров Core 2 или AMD с поддержкой данного типа.

OCZ OCZ3X16004GK (Intel Extreme Series, PC2-12800, 2x2GB)

Первым рассмотрим комплект OCZ3X16004GK из серии Intel Extreme (XMP Edition), который рассчитан для платформы LGA775 с поддержкой технологии XMP (eXtreme Memory Profiles) — аналога EPP, но для памяти DDR3. Естественно, память может работать и без данной функции, только настройки таймингов и напряжения питания придется произвести вручную.

Модули поставляются в небольшом блистере, с синим вкладышем-инструкцией по установке памяти в систему.


Модули выполнены на PCB черного цвета и оснащены фирменными черными радиаторами XTC (Xtreme Thermal Convection), которые выполнены в виде сеточки, повышающей по заверению производителя эффективность охлаждения микросхем памяти. На каждой стороне радиатора находится логотип Intel Core 2 Extreme.


Конструкция радиатора не цельная — он состоит из алюминиевой сетки и ободка, приклеенного такой же термолипучкой, что и основная часть радиатора к чипам памяти.


Из опознавательных знаков на PCB можно обнаружить HJ M1 94V-0, что ничего общего не имеет с BrainPower, печатные платы от которой используются для овекрлокерских модулей.


На этикетке также минимум информации: рабочая частота 1600 МГц, общий объем комплекта 4 ГБ, тайминги 7-7-7-24 (информация о tRAS взята с официального сайта компании) и напряжение 1,9 В.


А вот SPD куда более подробно может рассказать о памяти. При загрузке системы по дефолту планки определятся как DDR3-1066 с задержками 7-7-7-16 и напряжением 1,5 В. При активации профиля XMP, которых к тому же два, память уже будет работать на своей номинальной частоте с таймингами 7-7-7-28 и напряжением 1,9 В (профиль Enthusiast). Наша тестовая плата ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP на базе чипсета Intel X38 Express для этого подняла частоту шины FSB и снизила коэффициент умножения процессора Core 2 E8500, что дало итоговые 3,2 ГГц на нем.


Если необходима более высокая частота, то можно активировать профиль Extreme и модули смогут функционировать на 1777 МГц с задержками 9-9-9-32. Также доступны в обоих случаях различные комбинации частот и таймингов.

OCZ OCZ3P16004GK (Platinum Series, PC2-12800, 2x2GB)

Комплект OCZ3P16004GK является представителем старой серии Platinum и поставляется в таком же блистере, что и предыдущий набор, но, естественно, уже с другим вкладышем.


Черные модули оснащены уже обычными полированными радиаторами, с обеих сторон которых красуется буква Z с небольшой цифрой 3.


Конструкция радиатора все та же: сеточка и ободок, соединенные термолипучкой.


По характеристикам данная память ничем не отличается от модулей Intel Extreme и рассчитана на частоту 1600 МГц с таймингами 7-7-7-24 и напряжение 1,9 В.


В SPD прописаны лишь стандартные задержки и частоты до 1066 МГц. Никакого профиля XMP нет, и для работы на заявленных характеристиках все необходимые настройки придется сделать самому.
Интересно, что в SPD прописаны еще одни значения таймингов для частоты 1200 МГц, которые можно увидеть утилитой MemSet.

OCZ OCZ3RPR16004GK (Reaper HPC Series, PC2-12800, 2x2GB)

И последний комплект — OCZ3RPR16004GK, уже относится к серии Reaper, с которой мы познакомились в недавнем материале , посвященном памяти DDR2 от OCZ. Модули упакованы в крупный блистер с аналогичным вкладышем-инструкцией, что и набор старого стандарта.


Планки выполнены на черной PCB, каждая из которых оснащена фирменным радиатором с тепловой трубкой, передающей тепло дополнительному радиатору небольшого размера.


Основной радиатор состоит из двух половинок — к одной крепится тепловая трубка, а другая представляет собой обычную алюминиевую пластину. Вся конструкция соединена двумя винтами и дополнительно приклеена с обеих сторон к чипам памяти.

Печатная плата, в отличие от более доступных модулей, от BrainPower (на каждой планке можно найти маркировку B63URCBB 0.70), которая используется для производства 1600-мегагерцовой памяти объемом 2 ГБ.


Характеристики этого комплекта такие же, как и у памяти серии Intel Extre и Platinum: общий объем 4 гигабайта, рабочая частота 1600 МГц, тайминги 7-7-7-24 и напряжение питания 1,9 В.


Информация в SPD такая же, как и у модулей Platinum Edition, без каких-либо изменений.
Фактически, в данном случае приходится переплачивать за именитую PCB и более эффективную систему охлаждения.

Тестовая конфигурация и методика разгона

Наша тестовая конфигурация имела следующий вид:

  • Процессор: Intel Core 2 Duo E8500 (3,16 ГГц, 6 МБ, FSB 333 МГц);
  • Материнская плата: ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP (Intel X38);
  • Видеокарта: ASUS EN8800GS TOP (GeForce 8800 GS 384MB);
  • Кулер: Noctua NH-U12P;
  • Жёсткий диск: Samsung SP2504C (250 ГБ, SATA2);
  • Блок питания: Tagan BZ 1300W (1300 Вт).
Тестирование проводилось в среде Windows Vista Home Premium x64 SP2. Для проверки на стабильность разогнанных модулей памяти использовалась программа OCCT v3.0.1 с 20-минутным прогоном теста.

Параметры «Static Read Control» и «Transaction Booster» в BIOS Setup платы отключались, уровень «Relax Level» выставлялся на значении 4 (также использовались различные значения, если с указанным не достигался желаемый результат), что позволяло получить Performance Level, равный 8 или 9. Напряжение на чипсете составляло 1,45 В, на шине FSB — 1,4 В. Остальные настройки — по умолчанию. Во время тестирования модули обдувались 120-мм вентилятором.

Разгонный потенциал выяснялся для трех наборов таймингов: 7-7-7-21, 8-8-8-24 и 9-9-9-27. На данный момент времени они являются самыми актуальными. Параметр Command Rate равнялся 1T.


Результаты разгона


Комплект памяти OCZ3X16004GK при таймингах 7-7-7-21 и напряжении 1,9 В смог стабильно функционировать на частоте 1665 МГц. После повышения напряжения до 2 В порог отодвинулся уже до 1701 МГц, что вполне неплохо. Следующий по списку набор на повышение напряжения не реагировал, а его итоговая частота составила 1693 МГц. Для «рипера» результат равнялся лишь 1645 МГц, а после повышения напряжения частота поднялась еще на 44 МГц, что крайне мало по сравнению с более доступными комплектами.

С задержками вида 8-8-8-24 и 9-9-9-27 комплекты OCZ3P16004GK и OCZ3RPR16004GK работать отказались, а вот первый смог пройти тест на частоте 1709 МГц. Второй профиль XMP, который доступен у памяти серии Intel Extreme, также оказался не работоспособным. Возможно, 1700 МГц являются пределом для используемых чипов, но странное поведение памяти с менее агрессивными задержками позволяет думать о какой-то несовместимости памяти с используемой в тестовом стенде материнской платой.

Итоги

Начиная с этого материала, на страницах нашего сайта мы все больше будем уделять внимание набирающей популярность памяти DDR3, которая за последний год достаточно снизилась в цене, чтобы можно было ее рекомендовать для постройки не только hi-end-системы, но ПК среднего уровня. А учитывая, что ее будут поддерживать вскоре уже четыре платформы, то вывод о смене приоритета тестирования напрашивается сам собой. Конечно, некоторые решения устаревшего типа мы иногда будем тестировать, но, скорее всего, за редким исключением, так как потенциал их давно изучен и в последнее время они ничем особым удивить уже не могут.

Что касается рассмотренных комплектов памяти, то при таймингах 7-7-7-21 они показали весьма неплохие результаты - около 1650-1700 МГц. Данной частоты достаточно для разгона любого процессора или повышения быстродействия системы. Но с большими задержками память почему-то напрочь отказалась работать. Скорее всего, проблема кроется либо в пределе самих чипов, ведь они и так работают на своей номинальной частоте 1600 МГц при напряжении 1,9 В, либо в тестовой материнской плате.

Благодарим следующие компании за предоставленное тестовое оборудование:

  • Eletek за комплекты памяти OCZ OCZ3X16004GK, OCZ3P16004GK и OCZ3RPR16004GK;
  • ASUS за материнскую плату ASUS P5E3 Deluxe WiFi-AP;
  • Мастер Групп за видеокарту ASUS EN8800GS TOP 384MB;
  • MaxPoint за блок питания Tagan BZ 1300W;
  • Noctua за кулер Noctua NH-U12P и термопасту Noctua NT-H1.

Максим Бабенков

Компания OCZ Technology Co, Ltd, специализирующаяся на выпуске памяти любых типов, еще в сентябре прошлого года представила серию ATI Certified, в которую входят модули памяти PC2-5400 и PC2-6400 с различным объемом. Память может поставляться как модулями по 1 Гбайт, так и комплектами по два модуля для использования в двухканальном режиме. Такой вариант поставки выглядит наиболее актуальным с учетом требований современных игровых приложений.

На российском рынке модули этой серии появились сравнительно недавно, поэтому мы были рады возможности их протестировать. В настоящей статье мы рассмотрим один из комплектов модулей памяти стандарта PC2-6400 (DDR2-800), относящийся к этой серии, - OCZ2A8002GK.

Модули памяти серии ATI Certified позиционируются производителем для экстремальных геймеров и протестированы в соответствии с сертификационной программой ATI. Производителем не только заявлен высокий уровень производительности и надежности модулей, но и гарантирована их отличная совместимость с технологией CrossFire. Особенностью всех модулей OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel является использование давно уже хорошо зарекомендовавшей себя системы охлаждения, в качестве которой применяется радиатор XTC (Xtreme Thermal Convection) с логотипом ATI Certified. Он выполнен из алюминия и выкрашен в красный цвет. Пластины радиатора установлены с обеих сторон модуля. Монтаж чипов памяти выполнен на обеих сторонах печатной платы. Радиатор XTC позволяет эффективно отводить тепло от горячих модулей, повышая тем самым их долговечность и стабильность их работы.

Комплект модулей оперативной памяти OCZ2A8002GK состоит из пары планок объемом по 1024 Мбайт каждая. Каждый модуль основан на 16 микросхемах по 64 Мбайт. В качестве микросхем памяти применяются FBGA-чипы с маркировкой OCZ X42P1208401-3. Модули работают в двухканальном режиме на частоте 800 МГц при таймингах 4-4-4-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Номинальное напряжение питания составляет 2,1 В. Благодаря технологии компании OCZ под названием EVP (Extended Voltage Protection) напряжение может быть незначительно повышено - до 2,2 В ±5%. Заметим, что повышение напряжения не лишает пользователя фирменной пожизненной гарантии на модули.

В ходе тестирования данные модули памяти работали не только на заявленных штатных параметрах, но и при более агрессивных настройках частоты и таймингах. Наивысшая частота памяти OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel, при которой нам удалось запустить систему, составила 930 МГц при таймингах 4-4-4-14.

Стенд для тестирования модулей памяти имел следующую конфигурацию:

Процессор - Intel Core 2 Extreme Edition QX6700 (тактовая частота - 2,66 ГГц, кэш L2 - 4 Мбайт);

Материнская плата - MSI P6N SLI Platinum;

Чипсет - NVIDIA nForce 650i SLI (C55 SPP + nForce 430 MCP);

Частота - 133-750 МГц (с шагом 1 МГц);

Видеокарта - ATI Radeon X1900XTX.

Тестирование проводилось под управлением операционной системы Windows Professional SP2 со всеми установленными на данный момент обновлениями. В качестве тестов применялись различные синтетические тестовые утилиты, входящие в пакеты SiSoftware Sandra, Everest Ultimate Edition и Right Mark Memory Analyzer. Помимо синтетических тестов на память использовалось приложение 3Dmark 2006, позволяющее оценить стабильность системы и увидеть, как повлияют различные режимы работы памяти на результаты в реальных приложениях.

Заметим, что результаты тестирования модулей памяти стоит рассматривать вкупе с конкретными чипсетом и моделью материнской платы, поскольку на других платформах модули памяти могут проявить себя совершенно по-другому.

Результаты тестирования модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel при частоте 800 и 930 МГц приведены в таблице.

Результаты тестирования модулей памяти
OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel

Режимы работы памяти

800 МГц,
4-4-4-15

930 МГц,
4-4-4-14

RightMark Memory Analyzer 3.72

RAM Performance, Stream, Мбайт/с

Average Memory Bandwidth, SSE2, Мбайт/с

Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2, Мбайт/с

Average RAM Latency, нс

Forward Read Latency

Backward Read Latency

Random Read Latency

Pseudo-Random Read Latency

Minimal RAM Latency, 32 Mbyte Block, L1 Cache line, нс

Forward Read Latency

Backward Read Latency

Random Read Latency

Pseudo-Random Read Latency

SiSoftware Sandra Lite 2007.5.11.35

Memory Bandwidth Int ALU, Мбайт/с

Memory Bandwidth Float FPU, Мбайт/с

Memory Latency (Linear), нс

Memory Latency (Random), нс

Combined Index, Мбайт/с

Everest Ultimate Edition 2006 3.50.761

Read, Мбайт/с

Write, Мбайт/с

Copy, Мбайт/с

Из результатов тестирования модулей OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel очевидно, что при увеличении частоты работы памяти и сохранении соответствующих таймингов наблюдается увеличение пропускной способности памяти и снижение латентности. Кроме того, прирост отмечается не только в синтетических тестах, но и в других приложениях. Если ранее мы подчеркивали, что существенно большее влияние на производительность памяти оказывает уменьшение таймингов памяти, нежели увеличение тактовой частоты, то в данном случае ситуация несколько иная. Нам просто не удалось при частоте работы 800 МГц разогнать память по таймингам. Правда, по частоте память прекрасно разгонялась, позволяя при этом не ухудшать параметры таймингов. Именно вследствие этого наблюдалось повышение пропускной способности памяти и снижение латентности при полном сохранении стабильности работы системы.

Редакция выражает благодарность российскому представительству компании OCZ Technology (http://www.ocztechnology.com) за предоставленный для тестирования комплект модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel.

Выбор высокопроизводительной памяти для настольного компьютера, дело достаточно кропотливое и ответственное, что связано в первую очередь с необходимостью обеспечения максимальной стабильности при работе на высокой частоте, особенно при использовании внештатных режимов, где критичным является каждый элемент компьютера, в том числе и память. В секторе портативных компьютеров, данная проблема стоит не столь остро, однако активное развитие мобильных технологий, увеличения рабочей частоты и сокращения внутреннего пространства ноутбука, требует не менее тщательного подхода при выборе памяти, что особенно касается сборщиков ноутбуков, которые иногда, в целях экономии устанавливают дешевую безымянную память, объясняя, что при работе в штатном режиме ни чего не случиться, в чем, безусловно, правы, однако...

Мы, покупатели дорогостоящих ноутбуков, желаем, что бы наш мобильный помощник, не только позволил бы получить максимум производительности, но, и обеспечил максимальную стабильность в различных условиях использования.

Сегодня мы познакомим вас с памятью OCZ серии Value, в которую входят модули с оптимальным отношением цены и производительности. Несмотря на достаточно низкую, для OCZ цену, в этих модулях используется ряд специфических технологий, как например, ULN2 PCB, которая заметно снижет уровень электрического шума, что позитивно сказывается на стабильности работы, особенно в автономном режиме.

Итак, в нашем обзоре принимает участие три типа модулей памяти, предназначенные для использования в различных типах ноутбуков: от ультра портативных моделей на основе технологии Centrino, до высокопроизводительных моделей класса замена настольного ПК, на основе мобильных версий настольных решений и на основе современных технологий Sonoma и AMD Turion™ 64, в которых используется быстрая память DDR2-533 и DDR333/400 соответственно.

Прежде, чем мы приступим к изучению возможностей представленных модулей памяти, мы хотели бы сделать несколько замечаний, относительно возможностей настройки параметров памяти в ноутбуке. Практически во всех моделях ноутбуков в BIOS отсутствует возможность настраивать параметры памяти, что позволило бы воспользоваться всеми преимуществами более быстрых и качественных модулей OCZ. Поэтому, единственное преимущество, которое вы получите от использования памяти OCZ, - большая стабильность, меньшее выделение тепла, и соответственно увеличение времени автономной работы.

OCZ PC2 700 Value Series

Память стандарта DDR333 на сегодняшний день остается одной из самых популярных в секторе портативных компьютеров. Этот тип памяти будет особенно актуален при использовании в мейнстрим моделях ноутбуков, основанных на классической технологии Centrino, где до сих пор используется память стандарта DDR266, которая заметно ограничивает возможности современных высокопроизводительных процессоров Pentium-M. Для решения этой проблемы мы настоятельно рекомендуем использовать память OCZ PC2700 Value Series.

Модули памяти OCZ PC2700 Value Series основаны на чипах Infuneon с низкими таймингами (2.5-4-4-8), что позволило несколько увеличить производительность на ноутбуках, использующих данные SPD.

Кстати, результаты наших тестов показывают, что перевод платформы Centrino на память DDR333 обеспечивает заметный прирост производительности, который будет особенно заметен при использовании процессоров с частотой выше 2ГГц. Здесь может возникнуть вопрос, а почему бы не использовать сразу память DDR 400, - теоретически это позволит добиться еще большей производительности. К сожалению, классическая технология Centrino поддерживает только DDR333, поэтому DDR 400 будет бессмысленна.

OCZ PC 3200 Value Series

Память стандарта DDR 400 на сегодняшний день применяется в некоторых Hi - END ноутбуках, в основе которых лежат мобильные версии настольных чипсетов и процессоров, как например VIA K8T800 для процессора Mobile AMD Athlon™ 64, а так же в новых платформах AMD Turion™ 64. Представленные модули OCZ PC 3200 Value Series основаны на чипах Samsung с низкими таймингами 2.5-4-4-8

Сравнение производительности памяти OCZ PC 3200 Value Series с No-name модулями, продемонстрировали некоторое увеличение производительности в большинстве типов приложений, при использовании жестко заданных параметров синхронизации в BIOS. В случае, если ваш ноутбук позволяет использовать данные SPD, либо имеет возможность изменить параметры памяти, то вы получите еще несколько процентов при сохранении 100% стабильности.

По нашему мнению, использования памяти OCZ PC 3200 Value Series особенно актуально в ноутбуках класса «Замена настольного ПК», в которых используется мобильные версии настольных чипсетов и процессоров. Здесь вы сможете воспользоваться полным частотным потенциалом, предлагаемым модулями OCZ PC 3200 Value Series.

OCZ PC 2 4200 Value Series

И, наконец, новый для мобильного сектора, тип памяти DDR2 533. Он используется в составе новой мобильной технологии Intel Sonoma, где может работать как в одноканальном, так и в двух канальном режиме, что позволило заметно увеличить производительность по сравнению с классической технологией Centrino.

Для создания высокопроизводительной и стабильной мобильной платформы, OCZ предлагает использовать модули PC2 4200 Value Series. Данные модули памяти основаны на высокопроизводительных чипах Elpda, которые имеют тайминги 4-4-4-8, что позволяет сделать предположение о возможном увеличении производительности мобильной платформы.

Однако, учитывая специфические особенности BIOS, которая использует жестко заданные частотные параметры, воспользоваться этими преимуществами, пока не получиться, зато высокая стабильность и пониженное тепловыделение гарантированны, что позитивно скажется на времени автономной работы. Увеличение производительности будет заметно лишь в случае принудительного изменения с помощью специальных утилит, либо в будущих моделях ноутбуков, где будет возможность использовать полный потенциал, используемых модулей памяти. Хотя, как вы может видеть, в этом случае увеличение производительности практически не заметное, что так же обусловлено специфическими особенностями памяти DDR2.

Заключение

Как вы могли заметить, производительность памяти OCZ не значительно превосходит производительность других модулей, в том числе и No-name, что связано с использованием жестко заданных параметров синхронизации, ограничивающих возможности высокопроизводительных чипов памяти, а так же некоторых архитектурных особенностей современных ноутбуков (типа процессора и контроллера памяти). Однако, как мы уже сказали выше, производительность в мобильной платформе не самое главное, намного важнее, - стабильность в автономном режиме, которая напрямую зависит и от качества памяти, где OCZ является бесспорным лидером.

Благодарим компанию « Svega Computer », за предоставленные на тестирование модули памяти OCZ

Понравилась статья? Поделитесь ей